比容 1.10 μF/cm²,高于一线 25% 以上;折弯强度近同行两倍。
电容缩体 20% 以上,同等空间承载更大算力,已获官方鉴定。
产线已建成,累计开发客户 100 余家,向头部电容厂批量供货。
浆料、设备、铝粉、热化四项独家技术叠加,良率稳定 95% 以上。
11 项发明及实用新型专利,行业领军人物牵头,全链覆盖。
绿色 · 超小型 · 高性能 · 长寿命 · 高可靠 · 低成本。
服务器内部空间被 GPU、HBM 与散热挤占,传统电容体积庞大;机架供电由 12V 迈向 48V 协议,耐压要求更高。
训练与推理使芯片功耗瞬时跳变,峰值达标称功率约 2.3 倍,对电源响应提出更高要求。
千亿级晶体管对电压波动极其敏感,电源杂波可致计算报错、“静默数据损坏”乃至宕机。
电化学腐蚀箔比容趋近理论上限,国内外沿用传统工艺的提升空间仅个位数百分比。
工艺消耗大量强酸、排放酸性废水废气,长期承压于趋严的环保政策。
高环保与重资产投入构成壁垒,中小厂难以复产,产业急需新的技术路线。
更轻、更小、更薄的持续诉求,推动电极箔小型化升级。
发电与储能装机放量,单机用量可观且稳定。
电气化、智能化加深,车规电容用量随之抬升。
机电、照明、UPS 等保持稳定增量需求。
算力爆发拉升高端电容需求,要求体积更小、储能更强、运行更稳;2026 年 AI 服务器电容 >20 亿美元(yoy>25%),2030 年有望达 30–50 亿美元。
| 主要玩家 | 所在地 | 工艺路线 | 市场位置 |
|---|---|---|---|
| 日本 NCC/KDK·JCC·TOYAL | 日本 | 电化学腐蚀 | 全球头部,年销售额约 500 亿 |
| 东阳光 | 韶关 | 电化学腐蚀 | 国内规模最大;25H1 营收 71.24 亿 |
| 新疆众和 | 新疆 | 电化学腐蚀 | 电极箔一体化;25H1 营收 40.03 亿 |
| 海星股份 | 南通 | 电化学腐蚀 | 以腐蚀箔为主;25H1 营收 10.92 亿 |
| 华锋股份 | 肇庆 | 电化学腐蚀 | 腐蚀箔中游;25H1 营收 5.86 亿 |
| 洪量新材 | 浙江·湖南 | 复合三维(物理增材) | 国内率先规模化的新路线 |
比容趋近理论上限,靠传统工艺再提空间有限。
强酸废水废气多,长期承压于趋严环保政策。
高投资叠加环保成本,中小厂商难复产。
服务器 CPU/GPU 催生 MLPC,传统工艺难匹配。
| 阳极箔(以 530Vf 产品计) | 比容 μF/cm² | 折弯强度 R1.0(回) |
|---|---|---|
| 洪量 | 1.10 | 105 |
| 日本 JCC | 0.90 | 50 |
| 国内领先 | 0.88 | 55 |
| 日本 KDK | 0.88 | 53 |
| 其他 | 0.80 | 56 |
同样空间装入更多电容、承载更大算力,直接缓解 AI 服务器的供电与板上密度瓶颈。
日企率先尝试同类增材工艺,却始终未解决铝箔卷绕开裂,无法批量用于卷绕生产;洪量已逐一攻克。
传统腐蚀工艺比容已逼近理论上限,提升空间仅余百分之几;新工艺与其不在同一量纲上。
复合三维电极箔形貌小型化方向,服务器与高端消费电子主力,最看重比容与体积。
通用电源与工业控制覆盖最广,对寿命与一致性要求高。
板载大容量储能,适配 AI 服务器电源与新能源功率模块。
高压大功率场景,用于光伏、风电、变频与新能源汽车。
引线型电容
贴片 / 固态型比容提升
体积缩减
折弯强度
| 维度 | 复合三维增材(洪量) | 传统电化学腐蚀 |
|---|---|---|
| 工艺路径 | 物理增材 · 铝粉烧结成孔 | 化学减材 · 强酸腐蚀刻孔 |
| 主要投入 | 高纯铝光箔、铝粉、添加剂、天然气,少量电力 | 高纯铝光箔、酸液、纯水,大量电力 |
| 生产效率 | 15–25 m/min | 2–8 m/min |
| 比容 | ≥1.10 μF/cm²,缩体 20%+ | 0.80–0.88 μF/cm²(趋近理论上限) |
| 环保 | 无污染物排放,铝流失减少 30% | 废酸、废液、废渣、废气 |
线速度由腐蚀的个位数提升至两位数 m/min,带来产出与单位成本的代际改善,而非边际优化。
比容提升源自三维结构而非刻蚀深度,绕开腐蚀箔的物理天花板。
无酸无废液,契合电极箔环保化转型,规避强酸排放合规风险。
四段技术贯通后落地为稳定量产能力——已建成规模化产线,并通过头部电容厂认证。
规模化产线
冶金级结合 · SEM 横截面复合三维电极箔与化成箔的研发、增材成型与化成主线,规格覆盖 140–160μm,承担工艺定型与对外交付。
承接上游铝粉处理与浆料配套,并作为产能扩张载体;与主厂前后衔接,缓解单点产能与原料瓶颈。
关键工序不依赖外协,配方与工艺数据闭环留存;扩产按工段复制,质量口径一致。
洁净厂房 · 主产线
浆料 · 原料处理
化成工段GPU、HBM 与散热模块挤占绝大部分 PCB;传统电容比容受限、体积庞大,限制服务器密度进一步提升。
训练与推理时芯片峰值功耗剧增;储能不足则供电跟不上算力,GPU 被迫降频甚至待机闲置。
千亿级晶体管对杂波极其敏感;据 Google、Meta 实测,约 0.1% 节点因电压不稳引发“静默数据损坏”。
AI 数据中心 · 高功率密度供电经军用电子元器件广州检测中心检测(MEA222020),鉴定结论达国内同类产品领先水平。
覆盖日系、台系与内资头部电容厂,已批量供货并形成复购。
引线、牛角、螺栓式铝电解电容器经下游批量装机验证。
正极箔是电容可靠性的关键料,客户认证须经可靠性测试、验厂、小批量试产等多道环节,一旦切换供应商,时间与成本都高。洪量产品与传统工艺原材料一致,客户可沿用既有标准与设备,导入顺畅、份额不易被替代。
洪量正极箔断面(SEM)· 已通过头部客户认证
连续化产线 · 支撑批量供货与持续交付
已通过工业和信息化部电子第五研究所检验,并获多家头部电容厂验证与持续采购
| 结构形式 | 额定规格 | 尺寸 (mm) | 耐温 | 额定寿命 |
|---|---|---|---|---|
| 引线型 | 400V / 33μF | 12.5×18 | 105℃ | 5,000h |
| 引线型 | 400V / 30μF | 9×23 | 105℃ | 8,000h |
| 牛角型 | 450V / 680μF | 30×47 | 105℃ | 5,000h |
| 牛角型 | 450V / 780μF | 30×50 | 105℃ | 5,000h |
同一材料适配多种结构、多电压档位,在高温长寿命工况下稳定通过验证,量产一致性已获客户确认。
固态 / 贴片成品电容
引线型
多结构 / 多型号高端阳极箔长期依赖日系进口;洪量是国内少数具备规模化高比容供给能力的厂商,替代空间广阔。
AI 服务器电源对高比容、高强度阳极箔最敏感,是溢价最高、最先放量的切入口。
一期 1000 万㎡产能已就位,可承接多家头部电容厂的高端阳极箔需求,需求侧已在排队。
按面积(㎡)供应高性能复合三维电极箔/化成箔,按客户机种规格定制,深度嵌入其物料体系。
性能代际领先带来溢价;同时薄箔省料、铝流失减少、无强酸,成本端同样占优——量、价两端皆有空间。
高端电极箔是典型的高毛利材料;随中高比容、高端产品占比提升,整体盈利结构持续优化。
以研发实验室起步,攻克高性能复合三维电极箔的核心工艺,并自主研制全自动真空热化关键设备,由首批样品走向小批量试产,沉淀出专有的材料与制程体系。
《一种三维多孔铝电极箔及其制备方法》发明专利获授权;产品通过电子五所及多家头部电容厂认证,由送样验证转入定向供货。
一期产能投产,中高压规格实现量产;收购金源、设立湖南洪量补强产能,入选浙江省首批次新材料,进入产销同步放量阶段。

| 一种三维多孔铝电极箔及其制备方法 | 三维结构本征 |
| 一种多孔电极箔及其制备工艺 | 多孔成形 |
| 一种多孔电极箔的热处理工艺 | 冶金级结合 |
| 一种高折弯强度的电极箔及其制备工艺 | 折弯强度 |
| 一种阳极材料化成生产线及化成方法 | 化成工艺 |
| 阳极材料化成生产线 | 铝电解电容器电极材料 |
| 化成槽循环恒温过滤装置 | 自润滑带材切刀机构 |
| 浮动缓冲延时装置 | 铝箔带材平整度调节机构 |
发明专利锁定配方与工艺路线等难以绕开的本征技术,实用新型护住自研产线与定制装置,两者互补覆盖从浆料到化成的完整链条,单点难以复制。
知识产权管理台账(节选)
复合三维电极箔经电子五所及多家头部电容厂认证,三类高比容产品获省级重点首批次新材料认定;自主专利 11 项(5 发明 + 6 实用新型),系统掌握 3D 复合箔全套工艺。






按 130/140/150/160 系列节奏迭代,逐代提高单位面积比容,巩固对传统工艺的数量级领先。
结合 AI 服务器电源、UPS 等对功率密度与小型化的要求,开发场景专用的高比容规格。
系列向上延伸后,产品由中高压贯通至超高压全段,形成与头部电容厂的长期供货接口。
以高可靠三维复合箔为数据中心提供持续稳定供电,降低电压波动引发的宕机与计算出错。
在增强算力的同时压降单位能耗、提高能效比,与整机厂协同优化电源与算力系统。
以低能耗低排放工艺融入客户绿色供应链,联动产业链上下游共建可持续电源技术生态。